![[중고] FX2N-32MR-ES/UL 미쯔비시 피엘씨 16점](http://www.plcmart.com/data/item/1583196552/thumb-37KSR6rOgFX2N32MRESUL1_165x165.jpg)
![[중고] FX2N-2LC 미쯔비시 피엘씨](http://www.plcmart.com/data/item/1587530084/thumb-27KSR6rOgFX2N2LC1_165x165.jpg)
◆ 기본유니트◆
-입력점수: 24점 (DC24V 7mA)
-출력점수 : 24점
트랜지스터 : 0.5A/1점(0.8A/4점)
(Y000,Y001은 0.3A/1점, DC5~30V)
-전원 : AC100~240V
| 연산 제어 방식 | ||
| 입출력 제어 방식 | ||
| 프로그램 언어 | ||
| 프로그램 메모리 | 최대 메모리 용량 | |
| 내장 메모리 용량 · 형식 | ||
| 메모리 카세트 (메모리 보드) | ||
| 확장 메모리 (확장 메모리 보드) | ||
| RUN 중 쓰기 기능 | ||
| 보호 기능 | ||
| 실시간 클럭 | 시계 기능 | |
| 명령의 종류 | 기본 명령 | |
| 응용 명령 | ||
| 연산 처리 속도 | 기본 명령 | |
| 응용 명령 | ||
| 입출력 점수 | 입력 점수 | |
| 출력 점수 | ||
| 리모트 I / O 점수 (CC-Link) | ||
| 총 점수 | ||
| 장치 | 입출력 릴레이 | 입력 릴레이 |
| 출력 릴레이 | ||
| 보조 릴레이 | 일반용 | |
| 유지 용 | ||
| 유지 용 (배터리 백업 고정 영역) | ||
| 특수용 | ||
| 스테이트 | 초기 상태 | |
| 일반용 | ||
| 유지 용 | ||
| 아난세타 용 | ||
| 타이머 (온 딜레이) | 100ms | |
| 10ms | ||
| 1ms 누적 형 (콘덴서 유지) | ||
| 100ms 적산 형 (콘덴서 유지) | ||
| 카운터 | 16 비트 업 | |
| 16 비트 업 (배터리 백업 영역) | ||
| 32 비트 양방향 | ||
| 32 비트 양방향 (배터리 백업 영역) | ||
| 고속 카운터 | ||
| 데이터 레지스터 (쌍 사용 32 비트) | 16 비트 일반용 | |
| 16 비트 유지 용 (배터리 백업 영역) | ||
| 16 비트 유지 용 (배터리 백업 고정 영역) | ||
| 16 비트 특수용 | ||
| 16 비트 인덱스 용 | ||
| 포인터 | JUMP, CALL 분기 용 | |
| 입력 인터럽트 | ||
| 타이머 인터럽트 | ||
| 카운터 인터럽트 | ||
| 중첩 | ||
| 상수 | 10 진수 (K) | |
| 16 진수 (H) | ||
| 전원 사양 | ||
| 정격 전압 | ||
| 전압 허용 범위 | ||
| 정격 주파수 | ||
| 허용 순간 정전 시간 | ||
| 전원 퓨즈 | ||
| 돌입 전류 | ||
| 소비 전력 | ||
| DC24V 서비스 전원 | ||
| DC5V 내부 공급 전원 | ||
| 입력 사양 | ||
| 입력 점수 | ||
| 입력 연결 형태 | ||
| 입력 형식 | ||
| 입력 신호 전압 | ||
| 입력 임피던스 | X000 ~ X007 | |
| X010 이상 | ||
| 입력 신호 전류 | X000 ~ X007 | |
| X010 이상 | ||
| 입력 ON 감도 전류 | X000 ~ X007 | |
| X010 이상 | ||
| 입력 OFF 감도 전류 | ||
| 입력 응답 시간 | ||
| 입력 신호 형식 | ||
| 입력 회로 절연 | ||
| 입력 동작 표시 | ||
| 입력 회로 구성 | ||
| 출력 사양 | ||
| 출력 점수 | ||
| 출력 연결 형태 | ||
| 출력 종류 / 형태 | ||
| 외부 전원 | ||
| 최대 부하 | 저항 부하 | |
| 유도 성 부하 | ||
| 최소 부하 | ||
| 개방 회로 누설 전류 | ||
| ON 전압 | ||
| 응답 시간 | OFF → ON | |
| ON → OFF | ||
| 회로 절연 | ||
| 출력 동작 표시 | ||
| 출력 회로 구성 | ||
스토어드 프로그램 반복 연산 방식 (전용 LSI) 인터럽트 명령 있습니다 |
일괄 처리 방식 (END 명령 실행시) 입출력 리프레시 명령 펄스 캐치 기능 있음 |
릴레이 심볼 방식 + 스텝 래더 방식 (SFC 표현 가능) |
16000 단계 코멘트 파일 레지스터를 포함 16000 단계 |
8000 단계 RAM (내장 리튬 배터리 백업) |
· FX-RAM-8 (2000/4000/8000/16000 단계 대응 가능) · FX-EPROM-8 (2000/4000/8000/16000 단계 대응 가능) · FX-EEPROM-4 (2000/4000 단계 대응 가능) · FX-EEPROM-8 (2000/4000/8000 단계 대응 가능) · FX-EEPROM-16 (2000/4000/8000/16000 단계 대응 가능) |
시퀀서 버전 V3.00 이상에는 FX2N-ROM-E1 형 확장 메모리 보드를 장착 가능 쇼트 메일 송신 기능 · 인버터 운전 제어 기능 · 16000 단계 EEPROM (2000/4000/8000 단계도 대응 가능) |
있음 (시퀀서 RUN 중 프로그램 변경 가능) |
암호 보호 기능 있음 (키워드 기능에 의한) |
내장 1980 ~ 2079 년 (윤년 보정 있음) 서기 2 자리 / 4 자리 전환 가능, 월차 ± 45 초 (25 ℃) |
시퀀스 명령 : 27 개 단계 래더 명령 : 2 개 |
응용 명령 132 종 |
0.08μs / 명령 |
1.52 ~ 수 100μs / 명령 |
184 점 이하 (증설 병용시) |
184 점 이하 (증설 병용시) |
실제 I / O 포함 256 점 이하 |
256 점 이하 (증설 병용시) |
X000 ~ X267 184 점 (8 진수 번호) 증설 병용시 |
Y000 ~ Y267 184 점 (8 진수 번호) 증설 병용시 |
M0 ~ M499 500 점 비 배터리 백업 영역입니다. 파라미터 설정에 따라 배터리 백업 영역에 변경할 수 있습니다. |
M500 ~ M1023 524 점 배터리 백업 영역입니다. 파라미터 설정에 따라 비 배터리 백업 영역에 변경할 수 있습니다. |
M1024 ~ M3071 2048 점 배터리 백업 고정 영역입니다. 지역 특성 변경 불가입니다. |
M8000 ~ M8255 256 점 |
S0 ~ S9 10 점 |
S10 ~ S499 490 점 비 배터리 백업 영역입니다. 파라미터 설정에 따라 배터리 백업 영역에 변경할 수 있습니다. |
S500 ~ S899 400 점 배터리 백업 영역입니다. 파라미터 설정에 따라 비 배터리 백업 영역에 변경할 수 있습니다. |
S900 ~ S999 100 점 배터리 백업 영역입니다. 파라미터 설정에 따라 비 배터리 백업 영역에 변경할 수 있습니다. |
T0 ~ T199 200 점 (0.1 ~ 3,276.7 초) |
T200 ~ T245 46 점 (0.01 ~ 327.67 초) |
T246 ~ T249 4 점 (0.001 ~ 32.767 초) 배터리 백업 고정 영역입니다. 지역 특성 변경 불가입니다. |
T250 ~ T255 6 점 (0.1 ~ 3,276.7 초) 배터리 백업 고정 영역입니다. 지역 특성 변경 불가입니다. |
C0 ~ C99 100 점 (0 ~ 32,767 카운트) 비 배터리 백업 영역입니다. 파라미터 설정에 따라 배터리 백업 영역에 변경할 수 있습니다. |
C100 ~ C199 100 점 (0 ~ 32,767 카운트) 배터리 백업 영역입니다. 파라미터 설정에 따라 비 배터리 백업 영역에 변경할 수 있습니다. |
C200 ~ C219 20 점 (-2,147,483,648 ~ + 2,147,483,647 카운트) 비 배터리 백업 영역입니다. 파라미터 설정에 따라 배터리 백업 영역에 변경할 수 있습니다. |
C220 ~ C234 15 점 (-2,147,483,648 ~ + 2,147,483,647 카운트) 배터리 백업 영역입니다. 파라미터 설정에 따라 비 배터리 백업 영역에 변경할 수 있습니다. |
32 비트 고속 업 / 다운] C235 ~ C255에서 최대 6 점 사용 가능 1 단계 : 60kHz, 10kHz 2 상 : 30kHz, 5kHz 사용되는 조건에 따라 사용할 수있는 점수와 입력 주파수에 제한이 있습니다. 배터리 백업 영역입니다. 파라미터 설정에 따라 비 배터리 백업 영역에 변경할 수 있습니다. |
D0 ~ D199 200 점 비 배터리 백업 영역입니다. 파라미터 설정에 따라 배터리 백업 영역에 변경할 수 있습니다. |
D200 ~ D511 312 점 배터리 백업 영역입니다. 파라미터 설정에 따라 비 배터리 백업 영역에 변경할 수 있습니다. |
D512 ~ D7999 7488 점 (D1000 이후 500 점 단위로 파일 레지스터로 설정 가능) 배터리 백업 고정 영역입니다. 지역 특성 변경 불가입니다. |
D8000 ~ D8255 256 점 |
V0 ~ V7, Z0 ~ Z7 16 점 |
P0 ~ P127 128 점 (CJ 명령, CALL 명령 용 P63은 END 점프 용) |
I00 □ ~ I50 □ 6 점 |
I6 □□ ~ I8 □□ 3 점 |
I010 ~ I060 6 점 (HSCS 명령 용) |
마스터 컨트롤] N0 ~ N7 8 점 (MC 명령 용) |
16 비트 : -32,768 ~ + 32,767 32 비트 : -2,147,483,648 ~ + 2,147,483,647 |
16 비트 : 0 ~ FFFF 32 비트 : 0 ~ FFFFFFFF |
AC100 ~ 240V |
AC85 ~ 264V |
50 / 60Hz |
10ms 이하의 순간 정전에 대해 계속 작동합니다. 전원 전압이 AC200V 계의 경우는 사용자 프로그램은 10 ~ 100ms로 변경할 수 있습니다. |
250V 5A |
최대 40A 5ms 이하 / AC100V 최대 60A 5ms 이하 / AC200V |
35W |
460mA 이하 |
290mA |
24 점 |
탈착식 단자대 (M3 나사) |
싱크 |
DC24V ± 10 % |
3.3kΩ |
4.3kΩ |
7mA / DC24V |
5mA / DC24V |
4.5mA 이상 |
3.5mA 이상 |
1.5mA 이하 |
약 10ms X000 ~ X017 (기본 유닛 내장 번호까지)는 디지털 필터를 내장하고 있으며, 응용 명령 또는 D8020에 따라 0 ~ 60ms에 1ms 단위로 변경할 수 있습니다. 0을 지정하면, X000, X001은 20μs, X002 ~ X017은 50μs입니다. |
무 전압 접점 입력 NPN 오픈 콜렉터 트랜지스터 |
포토 커플러 절연 |
입력 ON시 LED 점등 |
24 점 |
탈착식 단자대 (M3 나사) |
트랜지스터 / 싱크 출력 |
DC5 ~ 30V |
출력 1 점 / 일반 : 0.5A 이하 출력 4 점 / 커먼 : 0.8A 이하 출력 8 점 / 일반 : 1.6A 이하 (Y000, Y001은 0.3A / 출력 1 점) |
12W / DC24V (Y000, Y001은 7.2W / DC24V) |
- |
0.1mA / DC30V |
1.5V |
Y000, Y001 : 15μs 이하 Y002 이후 : 0.2ms 이하 |
Y000, Y001 : 30μs 이하 Y002 이후 : 0.2ms 이하 |
포토 커플러 절연 |
포토 커플러 구동시 LED 점등 |
| 품명 | 상품페이지 참고 |
|---|---|
| 모델명 | 상품페이지 참고 |
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(토요일, 일요일, 공휴일 휴무)
![[중고] FX2N-48MT 미쯔비시 피엘씨](http://www.plcmart.com/data/item/1484037309/thumb-1484037309_l1_60x60.jpg)
