◆ 기본유니트◆ 
-입력점수: 24점 (DC24V 7mA) 
-출력점수 : 24점 
트랜지스터 : 0.5A/1점(0.8A/4점) 
(Y000,Y001은 0.3A/1점, DC5~30V) 
-전원 : AC100~240V 
 

스토어드 프로그램 반복 연산 방식 (전용 LSI) 인터럽트 명령 있습니다

일괄 처리 방식 (END 명령 실행시) 입출력 리프레시 명령 펄스 캐치 기능 있음

릴레이 심볼 방식 + 스텝 래더 방식 (SFC 표현 가능)

16000 단계  코멘트 파일 레지스터를 포함 16000 단계

8000 단계 RAM (내장 리튬 배터리 백업)

· FX-RAM-8 (2000/4000/8000/16000 단계 대응 가능)  · FX-EPROM-8 (2000/4000/8000/16000 단계 대응 가능)  · FX-EEPROM-4 (2000/4000 단계 대응 가능)  · FX-EEPROM-8 (2000/4000/8000 단계 대응 가능)  · FX-EEPROM-16 (2000/4000/8000/16000 단계 대응 가능)

시퀀서 버전 V3.00 이상에는 FX2N-ROM-E1 형 확장 메모리 보드를 장착 가능  쇼트 메일 송신 기능  · 인버터 운전 제어 기능  · 16000 단계 EEPROM (2000/4000/8000 단계도 대응 가능)

있음 (시퀀서 RUN 중 프로그램 변경 가능)

암호 보호 기능 있음 (키워드 기능에 의한)

내장  1980 ~ 2079 년 (윤년 보정 있음) 서기 2 자리 / 4 자리 전환 가능, 월차 ± 45 초 (25 ℃)

시퀀스 명령 : 27 개  단계 래더 명령 : 2 개

응용 명령 132 종

0.08μs / 명령

1.52 ~ 수 100μs / 명령

184 점 이하 (증설 병용시)

184 점 이하 (증설 병용시)

실제 I / O 포함 256 점 이하

256 점 이하 (증설 병용시)

X000 ~ X267 184 점 (8 진수 번호) 증설 병용시

Y000 ~ Y267 184 점 (8 진수 번호) 증설 병용시

M0 ~ M499 500 점  비 배터리 백업 영역입니다. 파라미터 설정에 따라 배터리 백업 영역에 변경할 수 있습니다.

M500 ~ M1023 524 점  배터리 백업 영역입니다. 파라미터 설정에 따라 비 배터리 백업 영역에 변경할 수 있습니다.

M1024 ~ M3071 2048 점  배터리 백업 고정 영역입니다. 지역 특성 변경 불가입니다.

M8000 ~ M8255 256 점

S0 ~ S9 10 점

S10 ~ S499 490 점  비 배터리 백업 영역입니다. 파라미터 설정에 따라 배터리 백업 영역에 변경할 수 있습니다.

S500 ~ S899 400 점  배터리 백업 영역입니다. 파라미터 설정에 따라 비 배터리 백업 영역에 변경할 수 있습니다.

S900 ~ S999 100 점  배터리 백업 영역입니다. 파라미터 설정에 따라 비 배터리 백업 영역에 변경할 수 있습니다.

T0 ~ T199 200 점 (0.1 ~ 3,276.7 초)

T200 ~ T245 46 점 (0.01 ~ 327.67 초)

T246 ~ T249 4 점 (0.001 ~ 32.767 초)  배터리 백업 고정 영역입니다. 지역 특성 변경 불가입니다.

T250 ~ T255 6 점 (0.1 ~ 3,276.7 초)  배터리 백업 고정 영역입니다. 지역 특성 변경 불가입니다.

C0 ~ C99 100 점 (0 ~ 32,767 카운트)  비 배터리 백업 영역입니다. 파라미터 설정에 따라 배터리 백업 영역에 변경할 수 있습니다.

C100 ~ C199 100 점 (0 ~ 32,767 카운트)  배터리 백업 영역입니다. 파라미터 설정에 따라 비 배터리 백업 영역에 변경할 수 있습니다.

C200 ~ C219 20 점 (-2,147,483,648 ~ + 2,147,483,647 카운트)  비 배터리 백업 영역입니다. 파라미터 설정에 따라 배터리 백업 영역에 변경할 수 있습니다.

C220 ~ C234 15 점 (-2,147,483,648 ~ + 2,147,483,647 카운트)  배터리 백업 영역입니다. 파라미터 설정에 따라 비 배터리 백업 영역에 변경할 수 있습니다.

32 비트 고속 업 / 다운]  C235 ~ C255에서 최대 6 점 사용 가능  1 단계 : 60kHz, 10kHz  2 상 : 30kHz, 5kHz  사용되는 조건에 따라 사용할 수있는 점수와 입력 주파수에 제한이 있습니다.  배터리 백업 영역입니다. 파라미터 설정에 따라 비 배터리 백업 영역에 변경할 수 있습니다.

D0 ~ D199 200 점  비 배터리 백업 영역입니다. 파라미터 설정에 따라 배터리 백업 영역에 변경할 수 있습니다.

D200 ~ D511 312 점  배터리 백업 영역입니다. 파라미터 설정에 따라 비 배터리 백업 영역에 변경할 수 있습니다.

D512 ~ D7999 7488 점 (D1000 이후 500 점 단위로 파일 레지스터로 설정 가능)  배터리 백업 고정 영역입니다. 지역 특성 변경 불가입니다.

D8000 ~ D8255 256 점

V0 ~ V7, Z0 ~ Z7 16 점

P0 ~ P127 128 점 (CJ 명령, CALL 명령 용 P63은 END 점프 용)

I00 □ ~ I50 □ 6 점

I6 □□ ~ I8 □□ 3 점

I010 ~ I060 6 점 (HSCS 명령 용)

마스터 컨트롤]  N0 ~ N7 8 점 (MC 명령 용)

16 비트 : -32,768 ~ + 32,767  32 비트 : -2,147,483,648 ~ + 2,147,483,647

16 비트 : 0 ~ FFFF  32 비트 : 0 ~ FFFFFFFF

AC100 ~ 240V

AC85 ~ 264V

50 / 60Hz

10ms 이하의 순간 정전에 대해 계속 작동합니다.  전원 전압이 AC200V 계의 경우는 사용자 프로그램은 10 ~ 100ms로 변경할 수 있습니다.

250V 5A

최대 40A 5ms 이하 / AC100V 최대 60A 5ms 이하 / AC200V

35W

460mA 이하

290mA

24 점

탈착식 단자대 (M3 나사)

싱크

DC24V ± 10 %

3.3kΩ

4.3kΩ

7mA / DC24V

5mA / DC24V

4.5mA 이상

3.5mA 이상

1.5mA 이하

약 10ms  X000 ~ X017 (기본 유닛 내장 번호까지)는 디지털 필터를 내장하고 있으며, 응용 명령 또는 D8020에 따라 0 ~ 60ms에 1ms 단위로 변경할 수 있습니다.  0을 지정하면, X000, X001은 20μs, X002 ~ X017은 50μs입니다.

무 전압 접점 입력  NPN 오픈 콜렉터 트랜지스터

포토 커플러 절연

입력 ON시 LED 점등

24 점

탈착식 단자대 (M3 나사)

트랜지스터 / 싱크 출력

DC5 ~ 30V

출력 1 점 / 일반 : 0.5A 이하  출력 4 점 / 커먼 : 0.8A 이하  출력 8 점 / 일반 : 1.6A 이하  (Y000, Y001은 0.3A / 출력 1 점)

12W / DC24V (Y000, Y001은 7.2W / DC24V)

-

0.1mA / DC30V

1.5V

Y000, Y001 : 15μs 이하  Y002 이후 : 0.2ms 이하

Y000, Y001 : 30μs 이하  Y002 이후 : 0.2ms 이하

포토 커플러 절연

포토 커플러 구동시 LED 점등

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